Magnetoresistive Random Access Memory
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Magnetoresistive Random Access Memoryとは磁気を利用した記憶素子で、Magnestic Ramdom Access Memory、MRAMとも呼ばれる。N-Sという磁力極性を利用した記憶媒体（磁気ディスク装置や磁気テープ装置など）ではなく、電子のスピンをメモリ素子として利用するスピントロニクスを採用している。
構造はおおよそDRAMと似ており、DRAMにおけるキャパシタ部分をMTJ（Magnetic Tunnel Junction、磁気トンネル接合）素子に置き換えたような形をしている。MTJ部分には、各MTJを選択するための電界効果トランジスタ（MOS FET） が附属している。MOS FETの上に、ワード線、その上にMTJ、その上にbit線が積み重なっている。
MRAMの記憶はMTJで行なう。MTJは、2つの強磁性層の間に障壁層がある。片方は磁化が固定されている。もう片方の磁性層を、ビット線の電流で磁化の方法を変化させることで、0と1に対応させる。MTJの2つの磁性層の磁気の向きが違うか同じかによって、抵抗値が違う（GMR効果）。この抵抗値を使って、記憶状態を認識する。
MRAMは、DRAM等とは異なり、記憶状態が磁化状態であるため、電源を切っても、記憶状態が保存されるという特徴がある。
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