MRAM
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Vous avez de La MRAM ( Magnetic Random Access Memory) est une mémoire informatique magnétique.
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[modifier] Type de mémoire
Comme pour toutes les mémoires RAM, toutes les données sont accessibles directement.
Comme les autres mémoires non volatile, les données n'ont pas besoin d'énergie pour être conservées.
[modifier] Présentation
Les données, contrairement aux autres RAM ne sont pas stockées sous forme d'une charge électrique mais d'une charge magnétique. Ce changement d'état se fait en changeant le spin des électrons (par effet tunnel notamment). Cette méthode de stockage possède deux avantages: la première est la non volatilité des informations; la seconde une théorique inusabilité, puisque aucun mouvement électrique n'est engagé (la consommation est aussi théoriquement moindre puisqu'il n'y a pas de perte thermique due à la résistance des matériaux aux mouvements des électrons). La MRAM est souvent considérée comme la mémoire « idéale » alliant rapidité, débit, capacité et non volatilité, ce qui peut amener à penser qu'elle signera la fin de la hiérarchie des mémoires.
[modifier] Technique
[modifier] Stockage
Des cellules de stockage (composées d'électrons) sont prises en sandwich entre deux couches ferro-magnétiques, les bits d'information sont alors codés par le spin magnétique des électrons. Cette méthode de stockage permet à cette mémoire d'être faiblement influencée par les éléments extérieurs (radiations, champs magnétiques, température...) comparativement avec les autres mémoires.
[modifier] Lecture
Le spin des électrons crée une différence de potentiel entre les deux couches ferro-magnétiques, ce qui peut être lu par une tête magnéto-résistive, semblable à celles utilisées sur les disques durs.
[modifier] Ecriture
Le changement du spin des électrons se fait en créant un champ magnétique par effet tunnel entre les deux couches ferro-magnétiques.
[modifier] Performances
Étant donné que la production de ce type de mémoire n'en est qu'à ses tous débuts, les performances réelles sont encore mal connues.
- Cycle de lecture/écriture de seulement 35 nanosecondes.
- Temps d'accès de l'ordre de 10 ns, Hans Werner Schumacher de l'office fédéral des techniques physiques PTB suggère même des temps d'accès de 500 picosecondes grâce à la "méthode balistique".
- les débits sont de l'ordre du Gbits par seconde.
- La capacité des chips commercialisés est de 4Mbits (512Ko), mais elle devrait fortement augmenter pour rejoindre les même niveaux que la mémoire flash vers 2010.
[modifier] Industrialisation
Beaucoup d'acteurs de l'électronique s'y intérressent parmi lesquels : Motorola, IBM, Infineon, Toshiba, Samsung, Nec, ST Microlectronics, Sony et Philips. C'est la société Freescale semiconductor, qui a été la première entreprise à produire en masse les premières puces MRAM (juillet 2006) avec des modèles de 4 Méga-bits (512 Kilo-Octets) pour un prix de 25 dollars.
Cette mémoire est destinée dans un premier temps aux systèmes ayant besoin de mémoire fiable dans des conditions extrèmes. Elle sera probablement peu à peu embarquée dans les appareils mobiles comme les téléphones cellulaires ou les assistants personnels. Viendront ensuite progressivement les mémoires d'ordinateur et à terme peut-être même les mémoires de masse. On estime que cette mémoire commencera à s'imposer à l'horizon 2010.
[modifier] Liens
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