FeRAM
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FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory)は、強誘電体ののヒステリシス(履歴現象)を利用し正負の自発分極を1と0に対応させた、不揮発性の半導体メモリ。強誘電体膜の分極反転時間は速い(1ns以下)のためDRAM並みの高速動作が期待できる。
FeRAMに適合する強誘電体材料として残留分極が大きく、比誘電率が大きくなどの性質が必要であるがPZT、SBT、BLT、などの従来の半導体製造プロセスでは使用されていない新材料が使われる。
FeRAMには大きく分けて2種類のセル構成が提案されており、強誘電体キャパシタとセル選択用のMOSFETとを組み合わせる方法と、ゲート絶縁膜が強誘電体からなるFETを用いる方法である。
FRAMとも呼ばれるが、これはRamtron社の登録商標である。