MOSFET
Een MOSFET of Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor is een veldeffecttransistor (FET), waarvan de gate op de chip is opgebouwd uit lagen in de volgorde M, O, S (metaal, oxide, silicium). De metaallaag wordt gebruikt om de gate aan te sluiten, het silicium vormt de halfgeleider die reageert op de spanning in de gate, en het oxide (siliciumdioxide) vormt een zeer goede isolatielaag tussen de twee. Het halfgeleiderkanaal wordt onder invloed van de gate-spanning geleidend of juist isolerend. De MOSFET wordt gebruikt in elektronica wanneer een hoge ingangsimpedantie benodigd is.
[bewerk] Soorten
Afhankelijk van het effect van de gate-spanning en de werking van het halfgeleiderkanaal kunnen ze ingedeeld worden in groepen:
- enhancement mode
- depletion mode
- n-type geleidingskanaal
- p-type geleidingskanaal
[bewerk] Geschiedenis
Het basisprincipe van de MOSFET, oorspronkelijk IGFET genoemd, werd voor het eerst in een patent opgenomen door de Canadees J.Lilienfeld in 1925. Onafhankelijk werd dit idee tien jaar later, in 1935, geopperd door O.Heil (Engeland). Door de ontoereikende materiaalkennis en de toenmalige stand van de techniek was men lange tijd niet in staat dit idee om te zetten in de praktijk. Het duurde tot begin jaren 1970 voor de MOSFET aan zijn echte opmars kon beginnen. De eerste MOS schakelingen waren van het PMOS-type en werden gebruikt in toepassingen als rekentoestellen. Daarop volgde een tweede fase in de revolutie die werd ingezet door de eerste Intel microprocessoren in 1972 (de 4004) en in 1974 (de 8080). Deze processoren werden in NMOS uitgevoerd omdat daarmee een hogere snelheid kon/kan behaald worden. Rond dezelfde periode, in 1970, werden ook de eerste MOS geheugens gebouwd, met een tot dan toe ongekende densiteit (4Kbit/chip).
