PRAM
出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』
PRAM
- 疑似SRAMの略(Pseudo SRAM, Pseudo RAM)
- Phase change RAMの略。本項目で詳述。
PRAM (Phase change RAM)は、相変化記録技術を利用した、不揮発性の半導体メモリ。
結晶相は低抵抗でアモルファス相は高抵抗である事を1ビットとして利用する。
DRAMの従来の半導体製造プロセスを使い、キャパシタ部分を相変化膜に置き換えるため、技術的に共通点が多く、既存設備を流用しやすい。
書き込みは素子への熱変化により行う。
カテゴリ: コンピュータ関連のスタブ項目 | 相変化記録 | 半導体メモリ