オーム
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| オーム | |
|---|---|
| 記号 | Ω |
| 系 | 国際単位系（組立単位） |
| 量 | 電気抵抗 |
| 定義 | 1Vの電圧をかけたときに1Aの電流が流れる電気抵抗 |
オーム(ohm)はSIの電気抵抗の単位である。電気抵抗に関するオームの法則を発見したドイツの物理学者、ゲオルク・ジーモン・オームにちなむ。記号はギリシャ文字のオメガ（Ω）である。これは、オームの頭文字のO（オー）では0（ゼロ）とまぎらわしいからである。
アンペアとボルトから導出されるSI組立単位である。オームの法則より、ある装置に1ボルトの電圧をかけたときに1アンペアの電流が流れた場合、その装置は1オームの電気抵抗を有している(R = V / I)。また、ある装置に1アンペアの電流を流すと1ワットの電力を消費する場合、その装置は1オームの電気抵抗を有している(R = P / I2)。
ボルトがm2·kg·s-3·A-1の次元を有するので、オームはm2·kg·s-3·A-2の次元を有することになる。
オームの測定値の逆数は、コンダクタンスの単位であるジーメンスの測定値となる。コンダクタンスの単位は、かつてはohmを逆に綴ったmho（モー、℧）と呼ばれていた。
複素数で表わされるインピーダンスは電気抵抗を一般化したものである。その実数部は電気抵抗であり、虚数部はリアクタンスである。一貫性のために、インピーダンス、リアクタンスは電気抵抗と同じオームの単位を用いる。
1988年の国際度量衡委員会の勧告により、1990年よりオームの値は量子ホール効果に基づき、フォン・クリッツィング定数の協定値(R{K-90} = 25812.807 Ω)を用いて決定されている。
なお、106 オームのことを、1 メグオーム （MΩ）とも呼ぶ。最近は若い技術者を中心にメガオームと呼ばれることが多くなっている。
| 名称 | 記号 | 次元 | 物理量 |
|---|---|---|---|
| アンペア (SI基本単位) | A | A | 電流 |
| クーロン | C | A·s | 電荷・電気量 |
| ボルト | V | J/C = kg·m2·s−3·A−1 | 電圧・電位 |
| オーム | Ω | V/A = kg·m2·s−3·A−2 | 電気抵抗・インピーダンス・リアクタンス |
| オーム・メートル | Ω·m | kg·m3·s−3·A−2 | 電気抵抗率 |
| ワット | W | V·A = kg·m2·s−3 | 電力・放射束 |
| ファラド | F | C/V = kg−1·m−2·A2·s4 | 静電容量 |
| ファラド毎メートル | F/m | kg−1·m−3·A2·s4 | 誘電率 |
| 逆ファラド（ダラフ） | F−1 | kg1·m2·A−2·s−4 | エラスタンス |
| ジーメンス | S | Ω−1 = kg−1·m−2·s3·A2 | コンダクタンス・アドミタンス・サセプタンス |
| ジーメンス毎メートル | S/m | kg−1·m−3·s3·A2 | 電気伝導度 |
| ウェーバ | Wb | V·s = kg·m2·s−2·A−1 | 磁束 |
| テスラ | T | Wb/m2 = kg·s−2·A−1 | 磁束密度 |
| アンペア毎メートル | A/m | m−1·A | 磁場(磁場の強さ) |
| アンペア毎ウェーバ | A/Wb | kg−1·m−2·s2·A2 | リラクタンス |
| ヘンリー | H | Wb/A = V·s/A = kg·m2·s−2·A−2 | インダクタンス |
| ヘンリー毎メートル | H/m | kg·m·s−2·A−2 | 透磁率 |
| (無次元数) | χ | - | 磁気感受率 |
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