Nitrure d'aluminium
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Vous avez de [modifier] Caractéristiques et applications
Le nitrure d'aluminium (symbole chimique : AlN) est un semi-conducteur à large bande interdite (6,2 eV). C'est un matériau réfractaire et isolant électrique possèdant une très grande conductivité thermique et présentant une grande resistance à l'oxydation et l'abrasion. Il a des applications potentielles en optoélectronique dans le domaine des ultra-violets, comme substrat pour des croissances épitaxiales et en électronique de puissance pour la fabrication de transistors hyperfréquence de puissance.
Actuellement il y a de nombreuses recherches pour produire des diodes à émission UV utilisant du nitrure de gallium et d'aluminium. Des expériences ont permis d'atteindre des longueurs d'ondes de l'ordre de 250 nm, le gap du nitrure d'aluminium autoriserait des émissions jusqu'a 200 nm en principe. Mais il faudra sans doute encore beaucoup de temps avant de voir de tels composés électroniques arriver sur le marché.
[modifier] Méthodes d'élaboration
A l'heure actuelle en recherche et développement, les techniques physico-chimiques d'élaboration de monocristaux d'AlN sont la sublimation, l'épitaxie par jet moléculaire (MBE) et le dépôt chimique en phase vapeur (CVD).
