Diode à effet tunnel
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Une Diode à effet tunnel est un dipôle semi-conducteur, qui remplit la fonction d'une diode dans les circuits où un temps de commutation très court devient indispensable (jusqu’à 5GHz).
[modifier] Technologie
Dans une diode classique réalisée avec des semi-conducteurs, la conduction se produit si la jonction PN est polarisée positivement, et s'arrête dés que la polarisation devient négative. La conduction étant bloquée jusqu'à la tension de claquage de la diode lors d'une polarisation négative (Dans cette zone une diode classique est détruite). Dans la diode tunnel, le dopage des couches P et N est si important que la tension de claquage est égale à zéro volt (contre une tension de plusieurs centaines de volt pour une diode classique). Cette diode conduit donc en inverse (polarisée négativement), mais lors de son utilisation en direct (sens positif), l'effet tunnel se produit donnant à la caractéristique de cette diode une zone où l’augmentation de la tension aux bornes de la diode entraîne une diminution du courant la traversant. Cela correspondant à une résistance négative. Cette résistance négative peut être employée pour réaliser une version semi-conducteur de l'oscillateur dynatron qui utilise normalement une tétrode un type de tube électronique.
[modifier] Applications
La diode tunnel offre de grandes perspectives dans le domaine des oscillateurs HF (hautes fréquences), c'est à dire dans les gammes de fréquences utilisées dans les fours à micro-ondes. Bien que depuis sa découverte, les progrès des semi-conducteurs classiques permettent à ceux-ci de dépasser la diode tunnel avec les techniques conventionnelles.
[modifier] Voir aussi
- Diode
- Diode inverse
- Diode Zener
- Diode Gunn
- Diode Schottky
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