Dépôt chimique en phase vapeur
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Le dépôt chimique en phase vapeur (ou CVD pour l'anglais chemical vapor deposition) est une méthode de dépôt de films minces, à partir de précurseurs gazeux.
[modifier] Principe
On utilise une enceinte sous atmosphère controlée, dans laquelle on injecte des précurseurs gazeux, comme le SiCl4 avec H2 par exemple s'il s'agit de déposer du silicium. Le substrat est chauffé et la réaction chimique de dépôt a lieu en surface après adsorption des réactifs gazeux. Les températures du substrat peuvent être très importantes (de l'ordre de 1000 à 1500°C).
[modifier] Problémes liés au dépôt
Dans certains cas, les fortes températures de dépôt engendrent des contraintes résiduelles importantes pendant la phase de refroidissement. Ces contraintes dépendent fortement des caracteristiques mécaniques du substrat et de la couche à déposer, et peuvent avoir un impact sur la qualité du film et ses performances en service.
[modifier] Autres méthodes
Cette technique a subi plusieurs améliorations :
- LPCVD (Low pressure chemical vapor deposition) : dépôt chimique en phase gazeuse à basse pression
- APCVD (Atmosperic pressure chemical vapor deposition) : dépôt chimique en phase gazeuse à pression atmosphérique
- HPCVD (High pressure chemical vapor deposition) : dépôt chimique en phase gazeuse à haute pression
- PECVD (Plasma-enhanced chemical vapor deposition) : dépôt chimique en phase gazeuse assisté par plasma
- MOCVD (Metal-organic chemical vapor deposition) : dépôt chimique organo-métallique en phase gazeuse
- PJCVD(Plasma Jet chemical vapor deposition
Certaines de ces méthodes permettent de diminuer les températures de dépositions, d'accelerer les vitesses de dépôt ou d'améliorer l'homogénéïté du film déposé
