William B. Shockley
aus Wikipedia, der freien Enzyklopädie
William Bradford Shockley (* 13. Februar 1910 in London; † 12. August 1989 in Stanford) war ein US-amerikanischer Physiker und Nobelpreisträger.
Inhaltsverzeichnis |
[Bearbeiten] Leben
William Shockley wurde am 13. Februar 1910 als Sohn des Bergingenieurs William Hillman Shockley und seiner Frau Mary, geb. Bradford in London geboren. Nachdem die Familie 1913 wieder in die Vereinigten Staaten übersiedelt hatte, machte er seine Ausbildung in Kalifornien und erhielt 1932 seinen B.S. vom California Institute of Technology. Er promovierte 1936 bei John C. Slater am Massachusetts Institute of Technology über die Struktur der Energiebänder in Natriumchlorid. Danach ging er zu den Bell Telephone Laboratories, wo er bis auf kurze Unterbrechungen arbeitete, z. B. in der Gruppe von Clinton Davisson. Er war 1946 Gastprofessor an der Princeton University und 1954 am California Institute of Technology. 1954/55 war er für ein Jahr stellvertretender Direktor der Weapons System Evaluation Group des US-Verteidigungsministeriums. Er wechselte 1955 als Direktor zum Shockley-Halbleiterlaboratorium bei Beckman Instruments in Mountain View (Kalifornien), um dort den neuen Transistor und weitere Halbleiterbauelemente weiterzuentwickeln und zu produzieren. Er wurde 1963 zum Alexander M. Poniatoff Professor für Ingenieurwissenschaften an der Stanford University ernannt.
Shockley war ab 1951 Mitglied des wissenschaftlichen Beraterstabes der U.S. Army und ab 1958 der U.S. Air Force. Er wurde 1962 in den wissenschaftlichen Beraterstab des US-Präsidenten berufen.
Nach der Scheidung von Jean, geb. Bailey, mit der er drei Kinder hat, heiratete er Emmy Lanning.
[Bearbeiten] Werk
Shockley beschäftigte sich mit den Energiebändern von Festkörpern, mit Legierungen, der Theorie der Vakuumröhren, mit Theorien über Versetzungen und Korngrenzen, mit ferromagnetischen Domänen und Photoelektronen in Silberchlorid Nach der Entwicklung des Transistors 1948 beschäftigte er sich mit den verschiedenen Aspekten der Transistorphysik. Daneben betrieb er Operations Research über den Einfluß des Gehaltes auf die individuelle Produktivität in Forschungslaboratorien.
[Bearbeiten] Würdigung & Kritik
Shockley wurde 1956 zusammen mit Walter H. Brattain und John Bardeen mit dem Nobelpreis für Physik „für ihre Untersuchungen über Halbleiter und ihre Entdeckung des Transistoreffekts“ ausgezeichnet.
Wegen seiner Theorien, nach denen negroide Menschen über geringere Intelligenz verfügen, wurde Shockley kritisiert, zudem forderte er die Sterilisation von Menschen mit einem niedrigeren IQ als 100 und die verstärkte Fortpflanzung Intelligenter.
[Bearbeiten] Auszeichnungen
- Medal for Merit, 1946
- Morris Leibmann Memorial Prize, Institute of Radio Engineers, 1952
- Oliver E. Buckley Solid State Physics Prize, American Physical Society, 1953
- Cyrus B. Comstock Award, National Academy of Sciences, 1954
- Nobelpreis für Physik, 1956
- Holley Medal, the American Society of Mechanical Engineers 1963
[Bearbeiten] Weblinks
| Personendaten | |
|---|---|
| NAME | Shockley, William Bradford |
| KURZBESCHREIBUNG | US-amerikanischer Physiker und Nobelpreisträger. |
| GEBURTSDATUM | 13. Februar 1910 |
| GEBURTSORT | London |
| STERBEDATUM | 12. August 1989 |
| STERBEORT | Stanford |
