Drogaggio
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Con il termine drogaggio, nell'ambito dei semiconduttori, si intende l'aggiunta al semiconduttore di piccole percentuali di atomi non facenti parte del semiconduttore stesso allo scopo di modificare le proprietà elettriche del materiale.
Il drogaggio può essere di tipo n: l'atomo drogante ha un elettrone in più di quelli che servono per soddisfare i legami del reticolo cristallino e tale elettrone acquista libertà di movimento all'interno del semiconduttore.
Il drogaggio può essere di tipo p: l'atomo drogante ha un elettrone in meno di quelli che servono per soddisfare i legami del reticolo cristallino e tale mancanza o vacanza di elettrone, indicata con il nome di lacuna, si comporta come una particella carica positivamente e si può spostare all'interno del semiconduttore.
Le percentuali di elementi droganti utilizzate per effettuare il drogaggio sono, in termini percentuali bassissime, si parla per l'appunto di impurità elettroniche in quanto tali impurità sono in grado di modificare le proprietà elettriche del semiconduttore ma non le proprietà chimiche dello stesso.
L'entità del drogaggio si misura in atomi a centimetro cubo, cm^-3.
Riferendosi al Silicio, il semiconduttore più utilizzato che è composto da atomi tetravalenti, il drogaggio di tipo n può essere effettuato mediante atomi di Fosforo o Arsenico mentre il drogaggio di tipo p è generalmente effettuato mediante atomi di Boro.
I drogaggi più bassi che si possono ottenere, al limite del Silicio intrinseco sono dell'ordine di 10^13 Atomi/cm^3. I drogaggi più elevati, al limite del Silicio degenere sono dell'ordine di 10^20 atomi/cm^3.
Si noti che, come precedentemente esposto, i numeri in gioco sono molto lontani dal numero di atomi di Silicio in un centimetro cubo di materiale che è dell'ordine di 10^22.
