Spitzendiode
aus Wikipedia, der freien Enzyklopädie
Eine Spitzendiode ist eine spezielle Form der Diode und Nachfolger der ersten Kristalldetektoren. Sie wird industriell gefertigt in ein Gehäuse eingebaut und hat daher stabile, vordefinierte Eigenschaften. Erste Anwendungen und Antrieb zur Entwicklung waren Detektoren für Radargeräte während des Zweiten Weltkriegs. Spezifiziert wurden die Dioden bis zu 30 GHz.
Der Aufbau besteht z. B. aus einem dotierten Germanium- oder Siliziumeinkristallplättchen, auf den eine Metallspitze federnd aufdrückt. An der Kontaktstelle entsteht ein sogenannter Schottky-Kontakt.
Um die Kontaktstelle noch stabiler gegen mechanische Einflüsse zu machen, wird die Spitze oft durch einen starken Stromstoß mit dem Kristall verschweisst (Geschweisste Spitzendiode). Dadurch entsteht an der Kontaktstelle im Kristall eine halbkugelförmige, ev. neudotierte Störzone, die mit dem Kristallmaterial nun einen p-n-Übergang und somit eine PN-Diode bildet. Die HF-Eigenschaften verschlechtern sich dadurch meistens, besonders, da sich nun die Sperrschichtkapazität und die Ladungsträgerlebensdauer verschlechtert.
Beispiele für Spitzendioden sind z. B.:
OA21 mit Uf = 0,5 V bei 20 mA ( fc ca. 1 GHz, Material: Germanium, Fa. TE-KA-DE).
1N82 mit Uf = 0,2 V bei 1 mA ( fc ca. 1 GHz, Material: Silizium, Fa. Sylvania).
