Photoresist
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Fotolacke oder Photoresists werden insbesondere in der Mikroelektronik und der Mikrosystemtechnik für die Produktion von Strukturen im Mikro- und Submikrometerbereich und bei der Leiterplattenherstellung verwendet. Die wichtigsten Ausgangsstoffe für Fotolacke sind Polymere (z.B. PMMA (Plexiglas), PMGI) bzw. Epoxid-Harze (z.B. SU-8), Lösungsmittel wie Cyclopentanon oder Gamma-Butyrolacton, sowie eine fotoempfindliche Komponente.
Neben flüssigen Fotolacken gibt es noch Fest- bzw. Trockenresists (Fotofolien).
[Bearbeiten] Belichtung
Als Belichten bezeichnet man die selektive Bearbeitung der Fotoschicht durch eine Belichtungsmaske oder Fotoschablone (Fotokopien des Leiterbildoriginals) mit dem Ziel die Löslichkeit dieser Schicht durch eine fotochemische Reaktion lokal zu verändern.Die Belichtungsmasken bestehen aus einer UV-durchlässigen Trägerschicht(Quarzglas) und einer Adsorberschicht (Chrom). Nach der fotochemisch erzielbaren Löslichkeitsveränderung unterscheidet man Photoresists in
- Negativresists (Löslichkeit nimmt durch Belichten ab)und
- Positivresists (Löslichkeit wächst durch Belichten)
[Bearbeiten] Entwicklung
Bei der Entwicklung erfolgt ein Strukturieren der Photoresistschicht durch
- Herauslösen der unbelichteten Bereiche bei Negativresists
- bzw. der belichteten Bereiche bei Positivresists
durch ein geeignetes Lösungsmittel (Entwicklerflüssigkeit).
Negativresists werden bei Bestrahlung mit UV-Licht unlöslich durch eine Photopolymerisation bei der schwache PI-Bindungen in den Resistmolekülen (intramolekulare Bindungen) in starke Sigma-Bindungen zwischen verschiedenen Resistmolekülen (intermolekulare Bindungen) überführt werden.
Ergebnis der Entwicklung ist die fertige Haftmaske.
(siehe. auch Fotolithografie, Halbleitertechnologie, Spin-coating, Leiterplatte)
