Lawinenfotodiode
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Lawinenfotodioden (englisch Avalanche photodiode, daher oft APD genannt) sind hochempfindliche und schnelle Fotodioden. Sie nutzt den Lawinen-Durchbruch (Avalanche-Effekt), wie er in Zener-Dioden verwendet wird.
Sie können als das Halbleiteräquivalent zum Fotomultiplier betrachtet werden. Beim Anlegen einer hohen Sperrspannung nahe der Lawinen-Durchbruch-Spannung zeigen Lawinenphotodioden eine interne Verstärkung, die durch Stossionisation in der Sperrschicht hervorgerufen wird.
Siehe auch: Avalanchediode
[Bearbeiten] Literatur
- S. M. Sze: Physics o Semiconductor Devices. second edition. John Wiley & Sons. 766-782 (1981). ISBN 0-471-05661-8
- M. S. Tyagi: Introduction to Semiconductor Materials and Devices. John Wiley & Sons. 355-357 (1991). ISBN 0-471-60560-3