High Electron Mobility Transistor
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Der High Electron Mobility Transistor (HEMT) ist eine spezielle Bauform des Feldeffekttransistors für sehr hohe Frequenzen und ist von der Konstruktion her eine spezielle Bauform eines JFETs.
Er besteht aus Schichten verschiedener Halbleitermaterialien mit unterschiedlich großen Bandlücken (verbotene Zone). Häufig wird das Materialsystem Aluminium-Gallium-Arsenid/Gallium-Arsenid verwendet, wobei das AlGaAs hoch n-dotiert und das GaAs nicht dotiert wird. Da die verbotene Zone des AlGaAs größer ist als die des GaAs, bildet sich an der Grenzfläche dieser beiden Materialien auf Seiten des GaAs ein zweidimensionales Elektronengas (2DEG) aus, das als leitfähiger Kanal dienen kann. Die Elektronenbeweglichkeit ist darin sehr hoch (vergl. Namen des Bauelementes). Der HEMT ist deshalb für Hochfrequenzanwendungen gut geeignet. Die Steuerung des Bauelementes erfolgt, ähnlich wie beim Schottky-Feldeffekt-Transistor (Metal Semiconductor Field Effect Transistor, MESFET), über ein Metallgate, das sich direkt auf den n-AlGaAs befindet. Das HEMT-Prinzip ist auch auf andere Materialsysteme wie InGaAs/InP/AlInAs und Si/SiGe anwendbar.
