双极性晶体管
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雙極性晶體管（又称双极性三极管，Bipolar Junction Transistor）根据不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域，并形成兩個-{A|zh-cn:P-N結;zh-tw:P-N接面}-。可分成PNP 
和 NPN 
兩大類。
以NPN電晶體為例,在雙極性電晶體裡,雖然基極內的電洞較多,是多數載子。但是電流的傳遞主要卻是透過基極裡的少數載子(即電子)來完成的,也因此BJT被稱做'minority-carrier' devices。
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[编辑] 簡介
以下以NPN電晶體做主要的例子
一個電晶體可以被視為兩個二極體共用一端，像NPN電晶極為共用正極，而PNP則是共用負極。在一般狀況下，射(-基)極接面有著順向的偏壓，而集(-基)極接面卻相反，接的是逆向偏壓，當作放大器使用。以NPN電晶體為例子，射極接負電壓，基極接正電壓形成順偏，而集極電位又較基極高，是為逆偏，此時電晶體處於工作區(active region)。在NPN電晶體處於工作區時，射極P-N接面上空乏區的熱平衡會被破壞，大量的電子由濃度高的射極區經基極擴散(diffusion)到達基-集極接面的空乏區。到達空乏區後，由於空乏區內形成的電場，電子又被拉入集極，形成集極電流iC
為了使電流更大，在製造BJT時採取了一些策略來增大電流。 第一點：射極區的電子濃度會做得較集極高，方便電子擴散，而PNP電晶體也相同，射極區的電洞濃度較集極更高些，通常差兩個數量級左右。 第二點，又由於電子在穿越基極的過程中，容易和電洞結合(recombine)而消失，故在BJT基極的部分會盡量做薄，基極做得越薄，則電子所需擴散的距離也就愈短，得載子能夠較容易跨越它而到達集基-集接面的空乏區。 故我們知，各極載子濃度和基極寬度對於集極電流來說是息息相關的。
