光刻

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光刻是生产半导体元件时的一个工艺步骤，该步骤将印在光罩上的外形结构转移到基质的表面上。光刻与印刷术中的平版印刷的工艺过程类似。

基质一般是硅晶体的晶片，也可以是其他半导体的晶片。玻璃、蓝宝石或者金属也可以作为基质。

[编辑] 步驟

1. 准备基质
2. 涂佈光阻剂
3. 软烘干
4. 曝光
5. 显影
6. 硬烘干
7. 湿式腐蚀

除这些主要的工艺外还可能包括其它輔助的过程，比如大面积的均匀腐蚀来减小基质的厚度，或者去除边缘不均匀的过程等等。一般在生产半导体芯片或者其它元件时一个基质需要多次重覆光刻。

以下为在硅晶片上使用光刻的方式布置金属导线的描写，它是一个典型的光刻过程的例子：首先在硅晶片上覆上一层仅数纳米厚的金属，然后在这层金属上覆上一层光阻剂。这层光阻剂在曝光（一般是紫外线）后会变硬。通过光掩膜只有在有些地方的光阻剂被曝光。光阻剂有不同的类型，有些对所有紫外线光谱感光，有些只对一定的光谱感光，也有些对X射线或者对电子束感光。

此外光阻剂还有“正”、“负”之分，正光阻剂不感光的部分在显影后留下，而负光阻剂感光的部分在显影后留下。显影后光阻剂被烘干，然后晶片被放入一个腐蚀金属的溶剂中（比如一种酸）来将不被光阻剂掩盖的金属腐蚀掉。

然后使用另一种特殊的腐蚀液将烘干的光阻剂去除掉，这样在基质表面上就留下了一层覆盖了一定区域的金属。

光刻的优点在于它可以精确地控制形成的形状的大小和样子，此外它可以同时在整个晶片表面产生外形轮廓。它最主要得缺点在于它必须在平面上使用，在不平的表面上它的效果不很好，此外它要求极其高的情节条件。

在生产复杂的集成电路的过程中一块晶片可能经过50多次光刻。在生产薄膜晶体管的过程中所需要的光刻过程要少得多。