45 nm

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Il processo costruttivo a 45 nm (45 nanometri) è l'evoluzione del precedente processo a 65 nm utilizzato per i microprocessori Intel e AMD e la sua introduzione è prevista per il 2007 ad opera, però, della sola Intel; AMD invece ha annunciato l'arrivo sui mercati dei primi prodotti per la prima metà del 2008.

Il termine "45 nm" indica la dimensione media del gate di ogni singolo transistor. Per avere un'idea di cosa voglia dire "45 nm" basti considerare che il virus dell'HIV è grande circa 120 nm, un globulo rosso umano circa 6000-8000 nm e un capello quasi 80000 nm.

A 45 nm, lo spessore dello strato isolante sopra un transistor è estremamente ridotto, e questo causa un fenomeno di elettro-migrazione, ovvero alcuni elettroni "saltano" dall'altra parte dell'isolamento. In inglese questo fenomeno viene chiamato "leakage". Tale fenomeno provoca un aumento del consumo totale del processore e quindi anche un aumento di temperatura.

Intel ha dovuto far fronte a questo problema già con il Pentium 4 Prescott, costruito a 90 nm, che scatenò subito diverse polemiche legate appunto al suo alto "leakage", e quindi all'enorme consumo. Tale problema dovrebbe risolversi con il futuro utilizzo di una nuova versione della tecnologia strained silicon e un nuovo strato isolante a bassa costante K (Low K dielectric).

I vantaggi nel passare a questo processo costruttivo e, più in generale, a cercare di migliorare sempre più la miniaturizzazione, sono molteplici: si va dal miglioramento della resa produttiva con conseguente abbattimento di costi (più un processore è "piccolo" e più processori possono essere fabbricati con un solo wafer), alla diminuzione del consumo elettrico, passando per la possibilità di integrare un numero di transistor sempre maggiore con conseguente aumento della potenza elaborativa.

Intel ha già previsto quali saranno i passi successivi, si parla dei futuri processi costruttivi a 32 nm, 22 nm e 10 nm.