Silicon on insulator
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Silicon on insulator (SOI): Un transistor SOI está fabricado con una estructura en capas formada por una fina capa de silicio, de entre 50 nm y 100 µ, creada en un sustrato semiconductor, generalmente de óxido de aluminio (Al2O3) o silicio con un sustrato de óxido de silicio (SiO2) de entre 80 nm y 3 µ de espesor en su superficie. Este proceso reduce la cantidad total de carga eléctrica que debe transportar el transistor durante el cambio de estado, incrementando la velocidad (hasta un 15%) y reduciendo el intercambio de energía (hasta un 30%) frente a los chips CMOS. La producción de chips SOI es más costosa y se utilizan generalmente en aplicaciones de alto rendimiento.
