Крёмер, Герберт
Материал из Википедии — свободной энциклопедии
| Герберт Крёмер | |
| Herbert Krömer | |
 немецкий физик, лауреат Нобелевской премии (2000) |
|
| Дата рождения: | 25 августа 1928 |
|---|---|
| Место рождения: | Веймар, ФРГ |
Герберт Крёмер (нем. Herbert Krömer 25 августа 1928, Веймар) - немецкий физик, лауреат Нобелевской премии по физике. Половина премии за 2000 г., совместно с Жоресом Алфёровым, «за разработку полупроводниковых гетероструктур, используемых в высокочастотной и опто-электронике». Вторая половина премии была присуждена Джеку Килби «за вклад в изобретение интегральных схем».
Содержание |
[править] Биография
После окончания курсов подготовки к университету (Abitur), Герберт Крёмер приступает к изучению физики в Университете Йены, где помимо прочего посещал лекции Фридриха Гунда. Во время действия блокады Берлина Крёмер находился на практике в Берлине и воспользовался возможностью для побега на запад. После этого он продолжил обучение в Гёттингенском университете. В 1952 г. он защитил диссертацию в области теоретической физики по теме эффекта горячих электронов в транзисторах. После этого Крёмер работал в качестве "прикладного теоретика", как он сам себя называл, в техническом центре радиовещания немецкой федеральной почты. В 1954 г. он переехал в США и работал там в различных исследовательских учреждениях в Принстоне и Пало Альто. С 1968 по 1976 Крёмер преподаёт в университете Колорадо в качестве профессора, а затем перешёл в калифорнийский университет в Санта Барбаре.
[править] Достижения
Герберт Крёмер никогда не работал в "модных" областях физики. Он предпочитал области, значение которых становилось ясным только спустя много лет. Например, он опубликовал в 1950-х годах работы об основах биполярного транзистора на основе гетероструктур, который мог работать в гигагерцовом диапазоне частот. В 1963 г. он разработал принципы лазеров на двойных гетероструктурах - основе полупроводниковых лазеров. Обе этих работы на много лет опередили своё время, и нашли применение только в 1980-х годах, с развитием эпитаксии.
Во время пребывания в Санта Барбаре он сместил свои интересы в экспериментальную область. Например, в 1970-е годы Крёмер участвовал в разработке молекулярной эпитаксии, причём он изучал новые комбинации материалов, такие как GaP и GaAs на кремниевой подложке. После 1985 г. интересы Крёмера сместились к комбинациям InAs, GaSb и AlSb.
В 2000 г. ему присудили Нобелевскую премию по физике, совместно с Жоресом Алфёровым и Джеком Килби.
[править] Награды
- Награда имени Дж.Дж. Эберс, от IEEE, 1973
- Медаль имени Генриха Велкера от международного симпозиума по GaAs и похожим соединениям, 1982
- Заслуженный лектор от общества электронных устройств IEEE , 1983
- Награда Джэка Мортона от IEEE, 1986
- Исследовательская премия имени Александра фон Гумбольдта, 1994
- Нобелевская премия по физике , 2000
